丹東新東方晶體儀器有限公司
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晶體生長是發生在固-液(或晶-液)界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態,絕大部分熔體處于過熱態(溫度高于Te )。已生長出的晶體溫度又需低于Te。就是說整個體系由熔體到晶體的溫度由過熱向過冷變化。過熱與過冷區的界面為等溫區。此面與晶體生長界面間的熔體為過冷熔體。且過冷度沿晶體生長反方向逐漸增大。晶體的溫度低。這種由晶體到熔體方向存在的溫度梯度是熱量輸運的必要條件。熱量由熔體經生長面傳向晶體,并由其轉出。
單晶定向的用途:單晶硅具有金剛石晶格,晶體硬而脆,具有金屬光澤,能導電,但導電率不及金屬,且隨著溫度升高而增加,具有半導體性質。單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素,形成P型半導體,摻入微量的第VA族元素,形成N型,N型和P型半導體結合在一起,就可做成太陽能電池,將輻射能轉變為電能。
對于直流電磁探傷機夠產生的滲入深度比較大,有利于發現深層的缺陷。因此,在同樣的磁通量下,探測深度越大,磁通的密度越低,隨著深度的變化,磁通密度越小。尤其在厚板中比薄板中的現象更加明顯。但是對于薄板或薄壁管子時,厚度6mm以下,由于直流磁軛的提升力大,這樣在薄板內磁通密度的分布,在表面上要大于等于交流磁軛的作用效果,并且在深層的磁通密度要比交流磁軛作用效果大。彌補了交流電由于趨膚效應導致的近表面缺陷檢測靈敏度較低的原因。