丹東新東方晶體儀器有限公司
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單晶定向各向異性是晶體的本征特性, 即晶體在不同方向上具有不同的光學、電學、力學等物理性能, 在應用時, 根據使用目的不同,須對晶體進行不同的定向切割. 例如, 要制作性能優異的Si 壓力傳感器 , 須利用 Si 單晶在( 001) 面上的 110 方向壓阻效應大的特性, 定向切割出 Si( 001) 面, 并在此面上標出 110 方向, 在此面上, 沿著 110 方向制作電阻. AgGaSe 2 晶體. 一般采用自發成核 Bridgman 方法生長, 生長出的晶錠無明顯方向特征, 要研究 AgGaSe 2 晶體對 粒子的探測性能, 須定向切割出( 001) 面.
晶體定向方法很多, 如光象法 、錐光圖法、勞埃定向法 以及近年來利用定向儀發展的幾種快速定向法等. 光象法、錐光圖法應用非常局限, 精度很差, 且無法定向切割出任意晶面. 勞埃法雖然很經典、適用性廣, 但定向過程十分繁瑣、費時, 對操作者要求有較豐富的經驗. 利用定向儀的幾種快速定向法, 具有較強的實用性, 但要定向切割出任意晶面, 其操作過程也很繁瑣.
對于直流電磁探傷機夠產生的滲入深度比較大,有利于發現深層的缺陷。因此,在同樣的磁通量下,探測深度越大,磁通的密度越低,隨著深度的變化,磁通密度越小。尤其在厚板中比薄板中的現象更加明顯。但是對于薄板或薄壁管子時,厚度6mm以下,由于直流磁軛的提升力大,這樣在薄板內磁通密度的分布,在表面上要大于等于交流磁軛的作用效果,并且在深層的磁通密度要比交流磁軛作用效果大。彌補了交流電由于趨膚效應導致的近表面缺陷檢測靈敏度較低的原因。