丹東新東方晶體儀器有限公司
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單晶定向的用途:單晶硅具有金剛石晶格,晶體硬而脆,具有金屬光澤,能導電,但導電率不及金屬,且隨著溫度升高而增加,具有半導體性質。單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素,形成P型半導體,摻入微量的第VA族元素,形成N型,N型和P型半導體結合在一起,就可做成太陽能電池,將輻射能轉變為電能。
單晶定向儀器是半自動型角度測量儀,用于測定單晶材料的表面缺陷。單片機系統采集的實時數據傳送給計算機分析系統進行數據處理進而得到峰位角和半峰寬(FWHW)值,以此判斷晶面表面是生長的完整性。
單晶定向的特點:該設備具有檢測過程無破壞性,重復性檢測精度高,準確性高等特點,使檢測簡單、快捷,使用方便。
對于直流電磁探傷機夠產生的滲入深度比較大,有利于發現深層的缺陷。因此,在同樣的磁通量下,探測深度越大,磁通的密度越低,隨著深度的變化,磁通密度越小。尤其在厚板中比薄板中的現象更加明顯。但是對于薄板或薄壁管子時,厚度6mm以下,由于直流磁軛的提升力大,這樣在薄板內磁通密度的分布,在表面上要大于等于交流磁軛的作用效果,并且在深層的磁通密度要比交流磁軛作用效果大。彌補了交流電由于趨膚效應導致的近表面缺陷檢測靈敏度較低的原因。