丹東新東方晶體儀器有限公司
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單晶定向各向異性是晶體的本征特性, 即晶體在不同方向上具有不同的光學、電學、力學等物理性能, 在應用時, 根據使用目的不同, 須對晶體進行不同的定向切割. 例如, 要制作性能優異的Si 壓力傳感器 , 須利用 Si 單晶在( 001) 面上的 110 方向壓阻效應大的特性, 定向切割出 Si( 001) 面, 并在此面上標出 110 方向, 在此面上, 沿著 110 方向制作電阻. AgGaSe 2 晶體. 一般采用自發成核 Bridgman 方法生長, 生長出的晶錠無明顯方向特征, 要研究 AgGaSe 2 晶體對 粒子的探測性能, 須定向切割出( 001) 面.
選晶法是單晶高溫合金葉片制備中基本的工藝方法. Higginbotham把常用的單晶選晶器結構歸納為四種類型:螺旋型、傾斜型、轉折型、尺度限制型(縮頸型)隨著單晶高溫合金研究的發展,螺旋型選晶器逐漸淘汰掉其他三種選晶器,成為目前應用廣泛也是成功的選晶器類型。 選晶法的原理就是利用選晶器的這種狹窄界面,只允許一個晶粒長出它的頂部,然后這個晶粒長滿整個型腔,從而得單晶體. 其晶體競爭生長機制是:螺旋結構總的攀升走向正好與散熱方向相反,致使螺旋體內散熱均勻,因此在整個螺旋形生長過程中,位向適合生長的那個晶粒將其他眾多的初生晶粒一一淘汰,不斷長出枝晶并進入試樣本體成為單晶鑄件. 至于鎳基單晶合金,在鎳的Gamma固溶態中,有大量分散結晶構造稍為不同的Gamma基本態,只要將這種結晶單晶化,在定向凝固合金中,增加Gamma基本態,提高高溫強度。鎳基單晶合金基本上消除定向凝固高溫合金的限制。F119的渦輪葉片是用第三代單晶作的,DD3可能是一代。
單晶定向儀是一種用于測定水晶、硅鍺單晶、激光晶體等各種單晶材料幾何表面與內部某一晶面間角度的儀器,它包括有X射線管、管套、風冷電機、被測晶體、計數器、放大器、數顯器、電表、穩壓器、控制器、高壓發生器、高壓電纜、吸泵等組成,其主要技術特點是它的測量光路由X射線管、單色器、被測晶體到計數器組成,單晶定向其單色器為具有一定晶面切角的水晶片。