硅單晶定向測量原理

發布日期：2019-08-01 00:00 來源：http://www.guoganxinwen.com 點擊：

　　晶體定向是由與晶粒的形狀和晶格所確定的晶向有關的晶體的各幾何方向間的聯系來確定的。硅單晶定向測量的方法很多，但相比之下，光學方法更具有特點。它使用起來簡單、定向準確、可靠，能夠處理任何半導體應用中的定向測量問題。　

　　用作定向測量的光學方法是以經NaoH或KOH腐蝕后的硅表面作為測量依據。<111定向硅表面~經滾沸的Na0H或KOH腐蝕，大量的平面就會暴攀腳。此時，用一束平行光照射腐蝕后的硅表面，并通過一組簡易的透鏡系統，就會在屏幕上出現一個特定的三腳星圖像。圖3表明了這種光學系統的基本原理。它被使用于光學定向測量的各種方法中。近似于三角形的平面邊緣上的微小彎曲部分決定了星像的三只腳，而整個平面經透鏡系統反射后形成星像中點，該中點可在校定后的屏幕上直接顯示取向錯誤。

　　以相同的方式：經NaoH或KOH腐蝕的定向硅面將會露出大量的棱錐形成坑。用一束光照射在硅表面上，反射成四腳星像。四棱錐底部的微小彎曲部分形成星像的四只腳，星像中點由四只腳給出。

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