硅單晶定向中的層錯

發布日期：2019-09-16 00:00 來源：http://www.guoganxinwen.com 點擊：

硅單晶定向中一個完整的晶體可以理解為許多平行晶面以一定方式堆積而成。當這種正常的堆積方式被破壞時，使在晶體中造成一層缺陷。在外延生長過程中，由于襯底上某處，或者在拋光過程中產生的微痕，或者有微粒，氧化物，或者清洗過程留下的污點等會使該處原子的正常排列遭受破壞。而在外延過程中使這種錯排逐漸傳播，直到晶體表面，成為區域性缺陷。?

層錯可分為本征層錯和非本征層錯。本征層錯是指抽出一層的情況，即按ABCA—CABC……(指抽出B層)排列。非本征層錯是指插入一層的情況，即按ABCACBCABC……（按插入C層排列）。?

當在一個晶面上同時形成許多晶核時，它們大多數不可能錯配，錯配只發生在很少的晶核上。而且隨著外延層的生長逐漸擴大，沿三個(111)面發育成為一倒立四面體。由于此四面體是錯配的晶核發育成，因此在它與正常生長的晶體的界面兩側，原子是失配的。也就是說，硅單晶定向晶格的完整性在這些界面附近受到破壞，但在層錯內部，晶格仍是完整的。由錯配的晶核為起源的層錯，并不一定都能沿三個(111)面發展到表面，即在表面并不都呈三角形，在某些情況下，層錯周圍的正常生長可以搶先占據上面的自由空間，因而使得層錯不能充分發育。于是表現在層錯的腐蝕圖形不是完整的三角形，而可能是一條直線，或者為一角。?