觀測硅單晶定向晶體中缺陷的實驗方法

發布日期：2019-09-23 09:00 來源：http://www.guoganxinwen.com 點擊：

目前用來觀測硅單晶定向中缺陷的實驗方法很多，金相腐蝕法就是其中一種，這種方法操作簡單，直觀，是晶體缺陷觀察的有力工具。

晶體中的缺陷一般僅涉及幾層原子的排列畸變，因此用普通顯微鏡不能直接觀察到它們，更不能發現晶體內部的缺陷。但由于缺陷附近的畸變區具有較高的能量，從而具有較大的化學活動性。因此，當晶體遭受化學腐蝕液的侵蝕時，缺陷部位常比完整區域具有更快的腐蝕速度，并形成腐蝕坑。這些腐蝕坑的尺寸可達數微米，于是可以用普通的金相顯微鏡來觀察它們，通過觀察腐蝕坑的形狀和數目可以了解晶體中缺陷的類型和密度。

硅單晶定向晶體面上位錯和硅外延片面上層錯的腐蝕顯示。

對于晶面硅單晶用希爾腐蝕液腐蝕后，它們的位錯腐蝕坑呈黑三角形。對于晶向沒有偏離時，刃位錯可以看出三角形，螺位錯可看出螺線；若晶向略有偏離晶向時，腐蝕坑圖形也會發生變化。

硅處延片面用希爾腐蝕液腐蝕后，它的層錯腐蝕坑呈正三角形或為一直角或相互60°角。

硅單晶定向