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丹東新東方晶體儀器有限公司
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硅晶片內的氧通過捕捉在裝置生產過程中混入晶片內的污染原子(內在的吸氣作用)而具有改良器件特性的作用。所以，應將晶體定徑部分(crystal fixed diameter part)整個區域內硅單晶中的氧濃度限制在給定的范圍內。
混入硅單晶內的氧源自浸入熔融硅中的石英坩堝的表面。在此情況下，氧經由熔融硅混入晶體內。在傳統CZ法中，發生過沿晶體上拉方向氧濃度不均勻的問題。
硅單晶定向據認為原因如下
(1)在晶體生長期間由于坩堝內的熔體減少，石英坩堝與熔體的接觸面積改變，
(2)由于上拉期間爐周邊環境引起的溫度變化使氧從坩堝流出的量改變
(3)由于熔體流動狀態的變化使氧進入晶體的輸送效率改變。
但是，迄今仍尚未報道定量實驗證明可支持上述三個原因，所以該三個原因對晶體濃度的貢獻硅單晶定向仍不清楚。
