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丹東新東方晶體儀器有限公司
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半導體晶體的內在質量、晶體缺陷、雜質濃度等直接關系到外延層和器件的質量及成品率。準確地顯示出晶體缺陷、研究其形成機理和控制及消除技術對制備高質量晶體是非常重要的。
單晶定向主要研究了用化學腐蝕的方法顯示藍寶石單晶的位錯缺陷的條件，為提高晶體質量提供基礎數據。
采用不同的化學腐蝕方法進行實驗，對比國內外晶體完整性方面的優劣。
NaOH的熔點是318．4℃，價格相對KOH便宜。選取NaOH對同一藍寶石樣片進行腐蝕研究。溫度選取290-340℃，時間為10-40min，結果發現在320℃腐蝕30min時得到較清晰的腐蝕形貌。
單晶定向對不同晶向的藍寶石單晶進行化學腐蝕，我們選擇了(0001)和(1120)晶向的藍寶石單晶，用熔融的KOH在290℃腐蝕15min，金相顯微鏡觀察到的缺陷形貌。
