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常溫溶液法晶體生長方法簡介單晶材料的制備有多種方法，而不同的特備方法下晶體額生長方法也不一樣，目前已經發展出多種生長晶體的方法，簡單介紹下常溫溶液法晶體生長方法。降溫法是從溶液中培養晶體的一種常用的方法。這種方法適用于溶解度和溫度系數都較大
發布時間：2023-03-06 點擊次數：15
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液體滲透探傷主要用于查緝坡口外表、碳弧氣刨清根后或焊縫欠缺掃除凈盡后的刨槽外表、工卡具干掉的外表以及不方便磁粉探傷部位的外表張嘴欠缺。藍寶石晶體定向儀是目前晶體切割加工中重要的定向專用設備，在儀器設備自動化程度迅速提高的今天，國產儀器雖
發布時間：2023-02-15 點擊次數：11
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單晶材料隨著現代科學技術進步和大家生活水平進步，x射線晶體定向儀做為高科技電子元件，廣泛地用于空間、軍事技術、計算機、無線電設備、電子儀器、彩電等各種家用電器，各種電話機、移動電話、尋呼機、甚至電子掛鐘、玩具等。未來的轎車輔助駕馭儀，每
發布時間：2022-12-19 點擊次數：11
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一種僅需已知晶體某一晶面,即能定向切割出所需任意晶面(或晶向)的方法,定向切割操作快速、準確、簡捷.在實際工作中,已知晶體的某一晶面是普遍存在的事實,例如提拉法、水溶液法、水熱法和熔鹽法生長的晶體,至少已知某一晶面.無
發布時間：2022-10-17 點擊次數：33
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X射線衍射方法，散射是彈性的;散射的X射線具有與入射X射線相同的波長。相比之下，非彈性X射線散射方法可用于研究樣品的激發，如等離子體激元，晶體場和軌道激發，磁子和聲子，而不是原子的分布。X射線晶體學與確定原子結構的幾種其他方法有關。類似
發布時間：2022-09-26 點擊次數：73
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顧名思義就是在不損害被檢測對象的條件下，利用材料內部的結構異常或缺陷存在所引起的對熱、聲、光、電、磁等反應的變化，來探測各種工程材料、零部件件、的內部和表面缺陷，并對缺陷的類型、性質、數量、尺寸、形狀、以及分布做出判斷和評價即為無損檢測
發布時間：2022-08-22 點擊次數：55
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單晶材料的制備是將物質的非晶態、多晶態或能夠形成該物質的反應物通過一定的物理或化學手段轉變成單晶狀態的過程。生長塊狀單晶材料有熔體法、常溫溶液法、高溫溶液法及其它相關方法。單晶定向儀是一種用于測定水晶、硅鍺單晶、激光晶體等各種單晶材料幾
發布時間：2022-04-06 點擊次數：98
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高溫溶液法生長的結晶物質，須在高溫下，溶于助溶劑，形成過飽和溶液。因此，助溶劑選擇，溶液相關系的確定，是溶液生長晶體的先決條件。藍寶石材料可以生長制備大尺寸的單晶，其內部缺陷很少，沒有晶界、孔隙等散射源，強度的損失很小，透波率很高，是目
發布時間：2022-03-29 點擊次數：96
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單晶材料晶體生長是發生在固-液界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態，絕大部分熔體處于過熱態。用于制造半導體器件、太陽能電池等。用純度高的多晶硅在單晶爐內拉制而成。單晶材料我們的生活中處處可見“硅”的身影
發布時間：2022-03-08 點擊次數：120
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研究方向還包括對功能晶體和低維材料研究中具有共性的材料物理與化學基礎科學問題，如基元與功能的圖形設計、微觀結構與宏觀性能關系的機理研究，以揭示功能材料內在本質與外部條件之間的規律性。 單晶材料是信息時代的材料基礎，薄膜和相關異質結構的
發布時間：2022-01-10 點擊次數：98
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藍寶石單晶是一種多功能材料。它耐高溫，導熱好，硬度高，透紅外，化學穩定性好。廣泛用于工業、國防和科研的多個領域。且過冷度沿晶體生長反方向逐漸增大。晶體的溫度低。這種由晶體到熔體方向存在的溫度梯度是熱量輸運的條件。熱量由熔體經生長面傳向晶
發布時間：2021-12-27 點擊次數：88
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因為熔體溫度高于材料熔點,而要生長單晶,籽晶浸入部分又不能融化(只能軟化),所以要求溫度滿足低于材料熔點。單晶材料這要在熔體與晶核之間界面處形成一定的溫度梯度,從熔體到晶體,溫度以一定趨勢降低。 單晶定向晶體生長是發生在固-液（或晶-
發布時間：2021-12-06 點擊次數：69
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藍寶石晶體定向的發現在人類歷史上具有重要的意義，它為自然科學和醫學開辟了一條嶄新的道路，為此1901年倫琴榮獲物理學諾貝爾獎金。它的波長比可見光的波長更短，它的光子能量比可見光的光子能量大幾萬至幾十萬倍。因此，X射線除具有可見光的一般性
發布時間：2021-11-15 點擊次數：72
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所謂碳化硅定向材料，即結晶體內部的微粒在三維空間呈有規律地、周期性地排列，或者說晶體的整體在三維方向上由同一空間格子構成，整個晶體中質點在空間的排列為長程有序。單晶整個晶格是連續的，具有重要的工業應用。由于熵效應導致了固體微觀結構的不理
發布時間：2021-10-20 點擊次數：102
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單晶體提供了關鍵衍射技術的模擬進動和透射電子衍射-對樣品和儀器參數的控制。倒數格子截面也可以被可視化，并控制層的高度。單晶體的多核結構極大地加速了大規模結構如蛋白質的模擬時間。一旦強度計算完成，衍射圖案可以實時地使用鼠標或多觸摸手勢在軌
發布時間：2021-10-14 點擊次數：121
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單晶體是容易觀察和理解晶體衍射特性的方法。單晶體可以模擬來自單晶的X射線、中子和電子衍射圖樣，顯示相互作用的晶格截面并構成平面或矢量的立體投影。通過將模擬圖案與觀察到的衍射圖像結合，可以自動索引圖案并確定晶體的取向。 單晶材料的整個樣
發布時間：2021-10-08 點擊次數：52
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單晶定向儀是一種用于測定水晶、硅鍺單晶、激光晶體等各種單晶材料幾何表面與內部某一晶面間角度的儀器，它包括有Ｘ射線管、管套、風冷電機、被測晶體、計數器、放大器、數顯器、電表、穩壓器、控制器、高壓發生器、高壓電纜、吸泵等組成，其主要技術特點
發布時間：2021-09-27 點擊次數：90
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單晶定向儀是一種用于測定水晶、硅鍺單晶、激光晶體等各種單晶材料幾何表面與內部某一晶面間角度的儀器，它包括有Ｘ射線管、管套、風冷電機、被測晶體、計數器、放大器、數顯器、電表、穩壓器、控制器、高壓發生器、高壓電纜、吸泵等組成，其主要技術特點
發布時間：2021-09-20 點擊次數：94
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單晶體是指樣品中所含分子(原子或離子)在三維空間中呈規則、周期排列的一種固體狀態.化學藥物中的原料藥(一般由單一成分組成)在合適的溶劑系統中經重結晶可得到適合X射線衍射使用的單晶樣品,其大小約為0.5mm左右。例如:雪花、食鹽小顆粒等.
發布時間：2021-09-13 點擊次數：79
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單晶體是指樣品中所含分子(原子或離子)在三維空間中呈規則、周期排列的一種固體狀態.化學藥物中的原料藥(一般由單一成分組成)在合適的溶劑系統中經重結晶可得到適合X射線衍射使用的單晶樣品,其大小約為0.5mm左右。例如:雪花、食鹽小顆粒等.
發布時間：2021-08-09 點擊次數：49
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單晶材料是一種寬禁帶直接帶隙半導體。要使熔體中晶體生長，須使體系的溫度低于平衡溫度。體系溫度低于平衡溫度的狀態成為過冷。的絕對值為過冷度，表示體系過冷程度的大小。過冷度是熔體法晶體生長的驅動力。硅的單晶通常在熔化時生長，但熔化的高溫會導
發布時間：2021-08-02 點擊次數：134
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到底是單晶材料好，還是多晶材料好？到底是單晶賺的多，還是多晶賺的多？這是行業內爭論多年的話題。關于“好”，這個字本身就是很模糊的概念。不同的人，從不同角度，站在不同立場，對“好”的認識完全不同，甚至截然相反。同樣一道菜，有人覺得好吃，有
發布時間：2021-06-01 點擊次數：126
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通用也就是說該X射線探傷機能適合大多數的零部件檢測，我們所說的通用型磁粉X射線探傷機也就是指CJW-2000型磁粉X射線探傷機，那么為什么CJW-2000型磁粉X射線探傷機可以稱為通用磁粉X射線探傷機呢?因為CJW-2000型磁粉X射線
發布時間：2021-05-17 點擊次數：35
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單晶材料沒有晶界，材料純度高，內阻小，溫度升幅較小;另一方面，多晶電池的光電轉換效率較低，它將更多的光能轉換為熱能而非電能，也導致多晶的溫度升高更明顯。在高光強下，單晶工作溫度比多晶低5~6℃左右，部分地區的多晶工作溫度可以比單晶高出1
發布時間：2021-04-19 點擊次數：64
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常用的4H-SiC和6H-SiC的空間群都是P63mc，可以一眼看出點群是6mm。6mm屬于10個極性點群（1，2，3，4，6；m，3m；mm2，4mm，6mm）中的一個，所以4H-SiC和6H-SiC是極性晶體。所謂極性晶體，是指一塊晶體
發布時間：2021-02-24 點擊次數：34
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單晶和同材質的多晶體材料相比性能能提升多少所謂單晶就是一個零件由一個晶粒組成。單晶體在力學強度上要比同物質的多晶體高出許多倍。合金液澆人熔模殼型后，在結晶器表面不可避免地會形成細晶粒區。然后在相互競爭中，擇優生長出一批柱狀晶。生產單晶鑄件的
發布時間：2021-02-02 點擊次數：54
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要想知道非晶態材料和單晶材料分別是什么？首先我們要知道什么是非晶態材料？什么是單晶材料？非晶態材料也叫無定形或玻璃態材料,這是一大類剛性固體,具有和晶態物質可相比較的高硬度和高粘滯系數(一般在10泊，即10帕·秒以上,是典型流體的粘滯
發布時間：2021-01-14 點擊次數：87
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我們發展了一種僅需已知晶體某一晶面,即能定向切割出所需任意晶面(或晶向)的方法,定向切割操作快速、準確、簡捷.在實際工作中,已知晶體的某一晶面是普遍存在的事實,例如提拉法、水溶液法、水熱法和熔鹽法生長的晶體,
發布時間：2020-12-31 點擊次數：33
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單晶材料兩個或兩個以上同種晶體構成的、非平行的規律連生體。又稱孿晶。在構成雙晶的兩個單晶體間，必會有部分的對應晶面、對應晶棱相互平行，但不可能全部一一平行，然而它們必可通過某一反映、旋轉180°或反伸
發布時間：2020-11-05 點擊次數：144
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起源：單晶是由單個晶體構成的材料，單晶在自然界存在，如金剛石晶體等，也可由人工制成，如鍺和硅單晶等。單晶是由一個晶核長成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向異性。制備：單晶材料的制備是將物質的非晶態、多晶態或能夠形成該物質的反應物通過
發布時間：2020-10-29 點擊次數：205
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丹東新東方晶體儀器有限公司成立于1993年，是一家專注于生產X射線定向儀的專業企業。自公司成立20年以來，為單晶材料生長、加工企業提供了數千臺定向儀器，積累了豐富的生產、服務經驗。產品出口到臺灣、韓國、日本、俄羅斯等地區。在藍寶石晶體加工行
發布時間：2020-09-30 點擊次數：56
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從熔體中生長單晶材料晶體是制備大單晶和特定形狀的單晶最常用的和最重要的一種方法，電子學、光學等現代技術應用中所需要的單晶材料，大部分是用熔體生長方法制備的，如單晶硅，GaAs（氮化鎵），LiNbO3（鈮酸鋰），Nd：YAG（摻釹的鐿鋁石榴石
發布時間：2020-09-23 點擊次數：174
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在2012年，曾被寄予厚望的類單晶材料一時進退維谷，既不能得到全部的晶向而充分利用堿制絨制備金字塔絨面帶來的陷光優勢，又不能克服缺陷快速增殖導致的晶錠頂部和邊角硅片的高缺陷密度劣勢。在此背景下，既無外觀瑕疵又無高密度位錯的多晶應運而生。多晶
發布時間：2020-08-26 點擊次數：59
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點缺陷：單晶材料點缺陷包括空位、間隙原子和微缺陷等。空位、間隙原子：點缺陷包括熱點缺陷（本征點缺陷）和雜質點缺陷（非本征點缺陷）。1、熱點缺陷其中熱點缺陷有兩種基本形式：弗侖克爾缺陷和肖特基缺陷。單晶中空位和間隙原子在熱平衡時的濃度與溫度有
發布時間：2020-07-31 點擊次數：195
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單晶硅缺陷，是對于晶體的周期性對稱的破壞，使得實際的單晶材料晶體偏離了理想晶體的晶體結構。在各種缺陷之中，有著多種分類方式，如果按照缺陷的維度，可以分為以下幾種缺陷：點缺陷：在晶體學中，點缺陷是指在三維尺度上都很小的，不超過幾個原子直徑的缺
發布時間：2020-07-16 點擊次數：199
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單晶材料分為天然晶體和人工晶體，隨著技術的發展，目前天然晶體已經不能滿足人們的需求，于是各種人工單晶材料就被相繼開發出來。單晶材料被廣泛用于電子工業、半導體工業、光學工業、機械加工業、鐘表行業、超聲及壓電技術等領域。所以單晶材料檢測在這些行
發布時間：2020-06-05 點擊次數：179
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碳化硅SiC是IV-IV族二元化合物半導體材料，也是元素周期表中V族元素中一種固態碳化物單晶材料。SiC由碳原子和硅原子組成，但其晶體結構具有同質多型體的特點。在半導體領域常用的是4H-SiC和6H-SiC兩種，SiC與其它半導體材料具有相
發布時間：2020-05-18 點擊次數：129
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在單晶材料硅晶體生長過程中，由于氣相組分過飽和使晶坯邊緣進行擇優生長，從而產生了偏離籽晶方向的晶格失配區域，在晶格失配區域，不同晶向的晶粒之間形成晶界。晶界通常由擴展邊緣和螺旋位錯構成，并貫穿整個晶錠，這對器件結構是致命的。靠近晶體邊緣的小
發布時間：2020-04-20 點擊次數：148
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提高硅晶體質量，就意味著必須降低晶體中得缺陷，正如單晶材料設備廠家所說，PVT法生長硅單晶需要控制的工藝參數較多，并且這些參數在生長過程中不斷發生變化，所以對晶體中的缺陷控制比較困難。硅單晶的缺陷主要包括微管、多型、位錯、層錯和小角晶界等。
發布時間：2020-04-16 點擊次數：149
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SiC是最早發現的半導體材料之一，自1824年瑞典科學家Berzelius在人工合成金剛石的過程中觀察到SiC多晶相以來，SiC單晶的發展經歷了一個漫長而曲折的過程。1893年，Acheson將石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放
發布時間：2020-03-12 點擊次數：113
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半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史，簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質，對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述，詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷，同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。以硅(S
發布時間：2020-03-04 點擊次數：387
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隨著新能源行業的不斷發展，人們對動力電池的要求也越來越高，隨之而來的三元材料中鎳含量的提升，但由此帶來的正極材料穩定性問題、電解液匹配問題、大電流充電溫升過高等引發的電池失效也越來越受到人們的關注，因此，單晶材料應運而生，不僅僅增強了正極材
發布時間：2020-01-15 點擊次數：307
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單晶材料行業作為半導體產業的直接上游，是半導體行業技術進步并不斷發展的基石。近年來，隨著半導體行業向高質量發展轉變，半導體級單晶硅材料行業對市場參與者的研發能力、生產能力及品質管控能力均提出了很高的要求，而缺乏高素質的研發人員和有經驗的生產
發布時間：2020-01-06 點擊次數：118
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徑向溫度梯度不引起位錯產生的條件為：在實際的晶體生長中，由于A1203材料熔點很高，為了獲得足夠的化料溫度和維持較高的正常的晶體生長溫度，熱場設計的都比較緊湊，外界條件的波動往往造成溫度梯度的不穩定變化。同時，實際生長晶體中坩堝與晶體的直徑
發布時間：2019-12-17 點擊次數：101
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從實驗可知，用熔融KOH進行化學腐蝕比用NaOH腐蝕效果好，得到的腐蝕圖像清晰、準確。且最佳條件為熔融KOH在290℃腐蝕15min。同時對比實驗發現國內外樣片在晶體完整性方面差異不大。影響晶體完整性的因素是很多的。一般說來，單晶材料晶體生
發布時間：2019-12-09 點擊次數：79
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近年來寬禁帶(Eg＞2．3V)半導體材料發展十分迅速，稱為第三代電子材料。主要包括SiC、金剛石、GaN等。同一、二代電子材料相比，第三代電子材料具有禁帶寬度大，電子漂移飽和速度高、介電常數小、導熱性能好等特點，單晶材料非常適用于制作抗輻射
發布時間：2019-11-04 點擊次數：147
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通常半導體材料的晶錠生長是采用元素半導體或化合物半導體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動力學原因，固態SiC只有在壓強超過1×105atm、溫度超過3200℃時才會熔化。目前，單晶材料晶體生長實驗室及工廠所擁有的技術手段還無法達
發布時間：2019-07-16 點擊次數：467
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藍寶石(Sapphire)是一種氧化鋁(α-Al2O3)的單晶，又稱為剛玉。藍寶石晶體具有優異的光學性能、機械性能和化學穩定性，強度高、硬度大、耐沖刷，可在接近2000℃高溫的惡劣條件下工作，因而被廣泛的應用于單晶定向，紅外軍事裝置、衛星空
發布時間：2019-06-07 點擊次數：283
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一、藍寶石晶體生長低成本、高質量地生長大尺寸藍寶石單晶材料已成為當前面臨的迫切任務。總體說來，藍寶石晶體生長方式可劃分為溶液生長、熔體生長、氣相生長三種，其中熔體生長方式因具有生長速率快，純度高和晶體完整性好等特點，而成為是制備大尺寸和特定
發布時間：2019-06-04 點擊次數：193
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單晶材料是由單個晶體構成的材料，單晶材料在自然界存在，如金剛石晶體等，也可由人工制成，如鍺和硅單晶等。單晶是由一個晶核長成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向異性。單晶硅具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導電，但導電率不及金
發布時間：2019-05-24 點擊次數：173
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單晶是由單個晶體構成的材料，單晶在自然界存在，如金剛石晶體等，也可由人工制成，如鍺和硅單晶等。單晶是由一個晶核長成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向異性。單晶材料的制備有以上熔體法、常溫溶液法、高溫溶液法、氣相法等方法，而不同的特備
發布時間：2019-05-21 點擊次數：268
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單晶材料的制備有以上熔體法、常溫溶液法、高溫溶液法、氣相法等方法，而不同的特備方法下晶體額生長方法也不一樣，目前已經發展出多種生長晶體的方法，具體工藝流程如下：降溫法是從溶液中培養晶體的一種常用的方法。這種方法適用于溶解度和溫度系數都較大的
發布時間：2019-05-17 點擊次數：227
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單晶材料的制備有以上熔體法、常溫溶液法、高溫溶液法、氣相法等方法，而不同的特備方法下晶體額生長方法也不一樣，目前已經發展出多種生長晶體的方法，具體工藝流程如下：熔體法晶體生長方法簡介：熔體法生長晶體有多種不同的方法和手段，如：提拉法、坩堝下
發布時間：2019-05-14 點擊次數：219
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所謂氣相法生長晶體，就是將擬生長的晶體材料通過升華、蒸發、分解等過程轉化為氣相，然后通過適當條件下使它成為飽和蒸氣，經冷凝結晶而生長成晶體。氣相法晶體生長的特點是：1.生長的晶體純度高；2.生長的晶體完整性好；3.晶體生長速度慢；4.
發布時間：2019-05-10 點擊次數：179
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高溫溶液法是生長單晶材料的一種重要方法，也是古代的煉丹術所采用的手段之一。高溫下從溶液或者熔融鹽溶劑中生長晶體，可以使溶質相在遠低于其熔點的溫度下進行生長。此法與其它方法相比具有如下優點：1.適用性強，只要能找到適當的助熔劑或助熔劑組合，就
發布時間：2019-05-07 點擊次數：278
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從溶液中生長晶體的歷史悠久，應用也很廣泛。這種方法的基本原理是將原料(溶質)溶解在溶劑中，采取適當的措施造成溶液的過飽和狀態，使晶體在其中生長。溶液法具有以下優點：1.晶體可在遠低于其熔點的溫度下生長。有許多晶體不到熔點就分解或發生不希望有
發布時間：2019-05-05 點擊次數：448
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單晶是由單個晶體構成的材料，單晶在自然界存在，如金剛石晶體等，也可由人工制成，如鍺和硅單晶等。單晶是由一個晶核長成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向異性。從熔體中生長晶體是制備大單晶和特定形狀的單晶常用的和重要的一種方法，電子學、光
發布時間：2019-04-30 點擊次數：243
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以硅（Si）、砷化鎵（GaAs）為代表的一代和二代半導體單晶材料的高速發展，推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限，這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作，不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射
發布時間：2019-04-26 點擊次數：291
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單晶材料優勢明顯在過去幾十年內，無論單晶材料電池還是多晶電池，生產工藝都非常粗糙，沒有把單晶材料的性能充分發揮出來，轉換效率的差異也不太明顯。隨著技術不斷進步，晶體硅材料的發電性能利用程度不斷被刷新，由于單晶材料本身的高品質特征、多晶材料本
發布時間：2019-04-24 點擊次數：1345
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單晶材料可以按照其晶格結構、所屬點群、化學成分等進行分類，也可以按照其性質和應用來進行分類。而晶體的性質也可以分為固有物性與功能物性。單晶材料是是由分子、原子等按照特定的對稱性規律在三維空間周期性排列而成的，晶體的性能由晶體的化學成分和晶體
發布時間：2019-04-18 點擊次數：1058
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SiC是較早發現的半導體材料之一，自1824年瑞典科學家Berzelius在人工合成金剛石的過程中觀察到SiC多晶相以來，SiC單晶的發展經歷了一個漫長而曲折的過程。1893年，Acheson將石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放
發布時間：2019-04-12 點擊次數：153
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單晶材料是一種應用日益廣泛的新材料，由單獨的一個晶體組成，其衍射花樣為規則的點陣。相對普通的多晶體材料性能特殊，一般采用提拉法制備。單晶材料根據晶體生長法制作分為借由柴克勞司基法(Czochralski)又名晶體生長法將復晶晶體提煉成對稱的
發布時間：2019-04-02 點擊次數：103
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要想知道非晶態材料和單晶材料分別是什么？首先我們要知道什么是非晶態材料？什么是單晶材料？非晶態材料也叫無定形或玻璃態材料,這是一大類剛性固體,具有和晶態物質可相比較的高硬度和高粘滯系數(一般在10泊，即10帕·秒以上,是典型流體的粘滯
發布時間：2019-03-15 點擊次數：302
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單晶材料沒有晶界，材料純度高，內阻小，溫度升幅較小;另一方面，多晶電池的光電轉換效率較低，它將更多的光能轉換為熱能而非電能，也導致多晶的溫度升高更明顯。在高光強下，單晶工作溫度比多晶低5~6℃左右，部分地區的多晶工作溫度可以比單晶高出1
發布時間：2019-02-28 點擊次數：443
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半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據此可以制造各種敏感元件，用于信息轉換。半導體材料的特性參數有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決
發布時間：2019-01-07 點擊次數：186
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液體滲透探傷主要用于查緝坡口外表、碳弧氣刨清根后或焊縫欠缺掃除凈盡后的刨槽外表、工卡具干掉的外表以及不方便磁粉探傷部位的外表張嘴欠缺。藍寶石晶體定向儀是目前晶體切割加工中重要的定向專用設備，在儀器設備自動化程度迅速提高的今天，國產儀器雖
發布時間：2018-12-14 點擊次數：141
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單晶材料隨著現代科學技術進步和大家生活水平進步，x射線晶體定向儀做為高科技電子元件，廣泛地用于空間、軍事技術、計算機、無線電設備、電子儀器、彩電等各種家用電器，各種電話機、移動電話、尋呼機、甚至電子掛鐘、玩具等。未來的轎車輔助駕馭儀，每
發布時間：2018-11-27 點擊次數：99
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單晶材料的制備是將物質的非晶態、多晶態或能夠形成該物質的反應物通過一定的物理或化學手段轉變成單晶狀態的過程。生長塊狀單晶材料有熔體法、常溫溶液法、高溫溶液法及其它相關方法。單晶定向儀是一種用于測定水晶、硅鍺單晶、激光晶體等各種單晶材料幾
發布時間：2018-08-17 點擊次數：257
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丹東新東方晶體儀器有限公司是從事X-RAY晶體定向及測試設備研發的民營高科技企業。目前公司主要產品是用于各種晶體定向及缺陷檢測的X-RAY晶體定向及檢測設備，年生產能力200臺套/年。產品現已出口十余個國家和地區。丹東新東方晶體
發布時間：2018-08-07 點擊次數：817
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在某種介質體系中，過飽和、過冷卻狀態的出現，并不意味著整個體系的同時結晶。體系內各處首先出現瞬時的微細結晶粒子。這時由于溫度或濃度的局部變化，外部撞擊，或一些雜質粒子的影響，都會導致體系中出現局部過飽和度、過冷卻度較高的區域，使結晶粒子
發布時間：2018-08-06 點擊次數：265
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單晶材料晶體生長是發生在固-液界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態，絕大部分熔體處于過熱態。用于制造半導體器件、太陽能電池等。用純度高的多晶硅在單晶爐內拉制而成。單晶材料我們的生活中處處可見“硅”的身影
發布時間：2018-08-03 點擊次數：231
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我公司在7月22日-27日參加了第18屆全國晶體生長與材料學術會議。三年一度的“全國晶體生長與材料學術會議”是由中國硅酸鹽學會晶體生長與材料分會主辦的系列會議，旨在人工晶體生長技術和晶體材料科學與工程研究新成果的交流，單晶材料推動理論研
發布時間：2018-07-31 點擊次數：799
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研究方向還包括對功能晶體和低維材料研究中具有共性的材料物理與化學基礎科學問題，如基元與功能的圖形設計、微觀結構與宏觀性能關系的機理研究，以揭示功能材料內在本質與外部條件之間的規律性。 單晶材料是信息時代的材料基礎，薄膜和相關異質結構的
發布時間：2018-07-09 點擊次數：166
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因為熔體溫度高于材料熔點,而要生長單晶,籽晶浸入部分又不能融化(只能軟化),所以要求溫度滿足低于材料熔點。單晶材料這要在熔體與晶核之間界面處形成一定的溫度梯度,從熔體到晶體,溫度以一定趨勢降低。 單晶定向晶體生長是發生在固-液（或晶-
發布時間：2018-06-21 點擊次數：339
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單晶是由結構基元在三維空間內，呈周期排列而成的固態物質。單晶材料如水晶，金剛石，寶石等。單向有序排列決定了它具有以下特征：均勻性、各向異性、自限性、對稱性、內能和穩定性。隨著生產和科學技術的發展? 天然單晶已經不能滿足人們的需要，各種
發布時間：2018-06-19 點擊次數：129
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藍寶石晶體定向的發現在人類歷史上具有重要的意義，它為自然科學和醫學開辟了一條嶄新的道路，為此1901年倫琴榮獲物理學諾貝爾獎金。它的波長比可見光的波長更短，它的光子能量比可見光的光子能量大幾萬至幾十萬倍。因此，X射線除具有可見光的一般性
發布時間：2018-06-15 點擊次數：89
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晶體生長是發生在固-液界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態，絕大部分熔體處于過熱態。已生長出的晶體溫度又需低于Te。就是說整個體系由熔體到晶體的溫度由過熱向過冷變化。過熱與過冷區的界面為等溫區。此面與晶
發布時間：2018-06-07 點擊次數：230
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單晶材料是由結構基元在三維空間內，呈周期排列而成的固態物質。如水晶，金剛石，寶石等。單向有序排列決定了它具有以下特征：均勻性、各向異性、自限性、對稱性、小內能和大穩定性。隨著生產和科學技術的發展?天然單晶已經不能滿足人們的需要，各種產業
發布時間：2018-06-05 點擊次數：220
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所謂單晶材料，即結晶體內部的微粒在三維空間呈有規律地、周期性地排列，或者說晶體的整體在三維方向上由同一空間格子構成，整個晶體中質點在空間的排列為長程有序。單晶整個晶格是連續的，具有重要的工業應用。由于熵效應導致了固體微觀結構的不理想，例
發布時間：2018-06-01 點擊次數：323
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單晶體提供了關鍵衍射技術的模擬進動和透射電子衍射-對樣品和儀器參數的控制。倒數格子截面也可以被可視化，并控制層的高度。單晶體的多核結構極大地加速了大規模結構如蛋白質的模擬時間。一旦強度計算完成，衍射圖案可以實時地使用鼠標或多觸摸手勢在軌
發布時間：2018-05-25 點擊次數：97
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單晶體是容易觀察和理解晶體衍射特性的方法。單晶體可以模擬來自單晶的X射線、中子和電子衍射圖樣，顯示相互作用的晶格截面并構成平面或矢量的立體投影。通過將模擬圖案與觀察到的衍射圖像結合，可以自動索引圖案并確定晶體的取向。 單晶材料的整個樣
發布時間：2018-05-30 點擊次數：182
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單晶定向儀是一種用于測定水晶、硅鍺單晶、激光晶體等各種單晶材料幾何表面與內部某一晶面間角度的儀器，它包括有Ｘ射線管、管套、風冷電機、被測晶體、計數器、放大器、數顯器、電表、穩壓器、控制器、高壓發生器、高壓電纜、吸泵等組成，其主要技術特點
發布時間：2018-05-23 點擊次數：209
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單晶體是指樣品中所含分子(原子或離子)在三維空間中呈規則、周期排列的一種固體狀態.化學藥物中的原料藥(一般由單一成分組成)在合適的溶劑系統中經重結晶可得到適合X射線衍射使用的單晶樣品,其大小約為0.5mm左右。例如:雪花、食鹽小顆粒等.
發布時間：2018-05-18 點擊次數：204
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華南理工大學沈葵副研究員和李映偉團隊與美國德克薩斯大學圣安東尼奧分校陳邦林等人合作，在有序大孔單晶材料研究領域取得重要進展。研究成果以“有序大孔-微孔金屬有機骨架單晶”為題，于2018年1月12日在《科學》上在線發表。 有的晶體本身就
發布時間：2018-05-15 點擊次數：89
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單晶材料是一種寬禁帶直接帶隙半導體。要使熔體中晶體生長，須使體系的溫度低于平衡溫度。體系溫度低于平衡溫度的狀態成為過冷。的絕對值為過冷度，表示體系過冷程度的大小。過冷度是熔體法晶體生長的驅動力。硅的單晶通常在熔化時生長，但熔化的高溫會導
發布時間：2018-05-04 點擊次數：344
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到底是單晶材料好，還是多晶材料好？到底是單晶賺的多，還是多晶賺的多？這是行業內爭論多年的話題。關于“好”，這個字本身就是很模糊的概念。不同的人，從不同角度，站在不同立場，對“好”的認識完全不同，甚至截然相反。同樣一道菜，有人覺得好吃，有
發布時間：2018-03-23 點擊次數：117
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單晶材料的制備有三種方法，而不同的制備方法下晶體額生長方法也不一樣，目前已經發展出多種生長晶體的方法，具體工藝流程如下：常溫溶液法晶體生長方法簡介 流動法：可以用于生長體積尺寸巨大的晶體，比如用于大功率激光設備的KDP晶體。流動法生長
發布時間：2018-03-13 點擊次數：128
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在國家自然科學基金項目（項目編號：21606087、21436005、51621001、21576095、21606088）等資助下，華南理工大學沈葵副研究員和李映偉團隊與美國德克薩斯大學圣安東尼奧分校陳邦林等人合作，在有序大孔單晶材料
發布時間：2018-03-07 點擊次數：216
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單晶材料的制備有多種方法，而不同的特備方法下晶體額生長方法也不一樣，目前已經發展出多種生長晶體的方法，簡單介紹下常溫溶液法晶體生長方法。 降溫法是從溶液中培養晶體的一種常用的方法。這種方法適用于溶解度和溫度系數都較大的物質，并需要一定
發布時間：2018-02-27 點擊次數：992
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1起源 單晶是由單個晶體構成的材料，單晶在自然界存在，如金剛石晶體等，也可由人工制成，如鍺和硅單晶等。單晶是由一個晶核長成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向異性。2制備 單晶材料的制備是將物質的非晶態、多晶態或能夠形成該物質的反
發布時間：2018-02-22 點擊次數：320
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利用硅單晶所生產的太陽能電池可以直接把太陽能轉化為光能，實現了邁向綠色能源革命的開始。現在，國外的太陽能光伏電站已經到了理論成熟階段，正在向實際應用階段過渡，太陽能硅單晶的利用將是普及到全世界范圍，單晶材料市場需求量不言而喻。單晶硅已滲到國
發布時間：2017-11-10 點擊次數：199
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砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料,用
發布時間：2017-10-19 點擊次數：189
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單晶材料是一種寬禁帶直接帶隙半導體ZnO晶體為纖鋅礦結構室溫下禁帶寬度為3.37eV激子束縛能為60meV遠大于室溫熱離化能26meV。ZnO具有良好的光學性能成為了國際上研究光電器件的熱點材料例如氣體傳感器壓電傳感器透明電極短波長激光器
發布時間：2017-07-28 點擊次數：175
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選晶法是單晶高溫合金葉片制備中基本的工藝方法.Higginbotham把常用的單晶選晶器結構歸納為四種類型:螺旋型、傾斜型、轉折型、尺度限制型(縮頸型)隨著單晶高溫合金研究的發展,螺旋型選晶器逐漸淘汰掉其他三種選晶器,成為目前應用廣泛也是
發布時間：2017-06-26 點擊次數：520
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單晶材料是一種應用日益廣泛的新材料，有單獨的一個晶體組成，其衍射花樣為規則的點陣。相對普通的多晶體材料性能特殊，一般采用提拉法制備。單晶材料根據晶體生長法制作分為1.借由柴克勞司基法(Czochralski)又名晶體生長法將復
發布時間：2017-06-19 點擊次數：214
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單晶材料是一種寬禁帶直接帶隙半導體ZnO晶體為纖鋅礦結構室溫下禁帶寬度為3.37eV激子束縛能為60meV遠大于室溫熱離化能26meV。ZnO具有良好的光學性能成為了國際上研究光電器件的熱點材料例如氣體傳感器壓電傳感器透明電極短波長激光器
發布時間：2017-03-20 點擊次數：129
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單晶是由單個晶體構成的材料，單晶在自然界存在，如金剛石晶體等，也可由人工制成，如鍺和硅單晶等。單晶是由一個晶核長成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向異性。單晶材料的制備是將物質的非晶態、多晶態或能夠形成該物質的反應物通過一定的物理或
發布時間：2017-03-16 點擊次數：323
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大多數的合成化學家認為培養出滿足質量的單晶更是一門藝術而非科學。為支持這個說法，他們會提出很多事情，要得到這樣的單晶材料似乎是機遇而且事實上有些人有很好的養單晶的能力。這個論點有一定道理但是實驗已經表明完整的理解晶體生長和溶劑的性質、認真分
發布時間：2017-03-09 點擊次數：251
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1、穩定的機架結構設計，增強了設備在晶體生長過程中的抗振動能力。2、優化的液壓提升機構確保副爐室提升和復位時的運動平穩性。3、單晶材料與主機分離的分水器設計，在減少冷卻水振動對晶體生長的影響的同時優化了水路布局。4、
發布時間：2017-02-20 點擊次數：244
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1.制備結晶，要注意選擇合宜的單晶材料溶劑和應用適量的溶劑。合宜的溶劑，在冷時對所需要的成分溶解度較小，而熱時溶解度較大。溶劑的沸點亦不宜太高。一般常用甲醇、丙酮、氯仿、乙醇、乙酸乙醋等。但有些化合物在一般溶劑
發布時間：2017-01-14 點擊次數：507
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拓撲超導態是物質的一種新狀態，單晶材料有別于傳統的超導體，拓撲超導體的表面存在厚度約1納米的受拓撲保護的無能隙金屬態，其內部則是超導體。如果把一個拓撲超導體一分為二，其新表面又會自然出
發布時間：2016-12-01 點擊次數：272
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單晶材料以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的一代和二代半導體材料的高速發展，推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限，這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作，不
發布時間：2016-11-29 點擊次數：181
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單晶材料兩個或兩個以上同種晶體構成的、非平行的規律連生體。又稱孿晶。在構成雙晶的兩個單晶體間，必會有部分的對應晶面、對應晶棱相互平行，但不可能全部一一平行，然而它們必可通過
發布時間：2017-05-08 點擊次數：297
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單晶材料與多晶硅片在晶體品質、電學性能、機械性能方面有顯著差異。單晶和多晶的差別主要在于原材料的制備方面，單晶是直拉提升法，多晶是鑄錠方法，后端制造工藝只有一些細微差別。
發布時間：2016-10-31 點擊次數：230
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單晶材料隨著現代科學技術進步和大家生活水平進步，x射線晶體定向儀做為高科技電子元件，廣泛地用于空間、軍事技術、計算機、無線電設備、電子儀器、彩電等各種家用電器，各種電話機、移動電話、尋
發布時間：2016-10-25 點擊次數：124
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發布時間：2016-10-18 點擊次數：107
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市場的巨大潛力讓設備提供商們也聞風而動，各種新技術的應用也讓水質分析儀器市場更加風聲水起。除了傳統的pH計，電導率儀，濁度儀，溶氧儀，總有機碳分析儀，總磷總氮測試儀等儀器外，近年來，一
發布時間：2017-08-04 點擊次數：121
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晶體生長是發生在固-液（或晶-液）界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態，絕大部分熔體處于過熱態（溫度高于Te）。已生長出的晶體溫度又需低于Te。就是說
發布時間：2017-08-18 點擊次數：111
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單晶材料的制備也稱為晶體的生長，是將物質的非晶態、多晶態或能夠形成該物質的反應物通過一定的化學的手段轉變為單晶的過程。首先將結晶的物質通過熔化或溶解方式轉變成熔體或溶液。再控制其熱力學
發布時間：2016-08-15 點擊次數：106
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這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作，不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導體材料的代表，碳化硅(SiC)單
發布時間：2016-08-05 點擊次數：284
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（一）單晶材料生長的必要條件。根據晶體生長時體系中存在的——由熔體（m）向晶體（C）自發轉變時——兩相間自由焓的關系
發布時間：2016-07-29 點擊次數：246
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單晶材料是一種寬禁帶直接帶隙半導體ZnO晶體為纖鋅礦結構室溫下禁帶寬度為3.37eV激子束縛能為60meV遠大于室溫熱離化能26meV。ZnO具有良好的光學性能成為了國際上研究光電器件
發布時間：2016-07-04 點擊次數：199
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半導體單晶材料的應用制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的
發布時間：2016-06-24 點擊次數：166
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結合單晶材料X射線應力測定基本原理,通過必要的理論分析,對現有單晶應力測定方法進行必要的改進和優化。基于工程實際應用需要,精簡了單晶應力測定步驟并拓寬其應用范圍,即不需要事先已知2θ0,
發布時間：2017-05-22 點擊次數：431
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單晶材料是由結構基元在三維空間內，呈周期排列而成的固態物質。如水晶，金剛石，寶石等。單向有序排列決定了它具有以下特征：均勻性、各向異性、自限性、對稱性、小內能和大穩定性。隨著生產和科學
發布時間：2016-06-17 點擊次數：234
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要想知道非晶態材料和單晶材料分別是什么？首先我們要知道什么是非晶態材料？什么是單晶材料？非晶態材料也叫無定形或玻璃態材料,這是
發布時間：2016-06-13 點擊次數：157
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單晶材料相對普通的多晶體材料性能特殊，一般采用提拉法制備。單晶材料根據晶體生長法制作分為1.借由柴克勞司基法(Czochralski)又名晶體生長法將復晶晶體提煉成對稱的、有規律的、成
發布時間：2016-06-03 點擊次數：151
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單晶材料是由結構基元（原子，原子團，離子），在三維空間內按長程有序排列而成的固態物質。或者說是由結構基元在三維空間內，呈周期排列而成的固態物質。如水晶，金剛石，寶石等。單向有序排列決定
發布時間：2016-05-02 點擊次數：154
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單晶材料是一種應用日益廣泛的新材料，有單獨的一個晶體組成，其衍射花樣為規則的點陣。相對普通的多晶體材料性能特殊，一般采用提拉法制備。單晶材料根據晶體生長法制作分為1.借由柴克勞司基法
發布時間：2016-04-28 點擊次數：101
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隨著我國單晶材料制造業的不斷發展，近些年來出現了采用多種寬帶隙半導體、弛豫鐵電體以及超導體為材料的功能晶體，在諸多領域當中都得了廣泛的運用。作為結構復雜，功能多樣的單晶材料，這些材料的
發布時間：2016-04-21 點擊次數：141
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單晶材料的制備又稱晶體生長，是物質的非晶態，多晶態，或能夠形成該物質的反應物，通過一定的物理或化學手段轉變為單晶狀態的過程。首先將結晶的物質通過熔化或溶解方式轉變成熔體或溶液。再控制其熱
發布時間：2016-04-12 點擊次數：174
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單晶材料結合單晶X射線應力測定基本原理,通過必要的理論分析,對現有單晶應力測定方法進行必要的改進和優化。基于工程實際應用需要,精簡了單晶應力測定步驟并拓寬其應用范圍,即不需要事先已知2θ
發布時間：2016-04-08 點擊次數：155
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單晶材料材料學的水平極大程度決定一個國家的高新科技的水平。好的裝甲需要好材料，導彈的外殼需要好材料，飛機發動機葉片需要更優異的材料，高精尖的軍用雷達半導體元器件也需要更好的材料。&nb
發布時間：2016-04-05 點擊次數：144
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單晶材料目前，主流的有機-無機雜化鈣鈦礦太陽能電池器件主要有兩種架構，即多孔結構和平面型結構。這兩種結構中，有機-無機雜化鈣鈦礦的存在形式均為基于多晶納米薄膜，其光電轉換效率已經超過20%。對于有機-無機雜化鈣鈦礦體系，單晶器件的光電性能要
發布時間：2016-03-31 點擊次數：95
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單晶材料我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化快的。單晶硅，英文，Monocrystallinesilicon。是硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材
發布時間：2016-03-25 點擊次數：193
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單晶材料拓撲超導態是物質的一種新狀態，有別于傳統的超導體，拓撲超導體的表面存在厚度約1納米的受拓撲保護的無能隙金屬態，其內部則是超導體。如果把一個拓撲超導體一分為二，其新表面又會自然出現一層厚度約1納米的受拓撲保護的金屬態。這種性質使得拓撲
發布時間：2016-03-18 點擊次數：150
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單晶材料我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化快的。單晶硅，英文，Monocrystallinesilicon。是硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材
發布時間：2016-03-11 點擊次數：124
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單晶材料基本原理高溫溶液法,其中包括溫差法、降溫法或升溫法及等溫法。目前主要采用溫差水熱結晶,依靠容器內的溶液維持溫差對流形成過飽和狀態通過緩沖器和加熱來調整溫差。晶體生長方法
發布時間：2016-03-03 點擊次數：395
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單晶材料晶體是在物相轉變的情況下形成的。物相有三種，即氣相、液相和固相。只有晶體才是真的固體。由氣相、液相轉變成固相時形成晶體，固相之間也可以直接產生轉變。晶體生成的一般過程是先生成晶核，而后再逐漸長大。一般認為晶體從液相或氣相中的生長有三
發布時間：2016-02-25 點擊次數：146
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單晶材料以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的一代和二代半導體材料的高速發展，推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限，這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作，不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗
發布時間：2016-02-16 點擊次數：180
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單晶材料是從結晶物質的熔體中生長晶體。適用于光學半導體，激光技術上需要的單晶材料。（一）晶體生長的必要條件。根據晶體生長時體系中存在的——由熔體（m）向晶體（C）自發轉變時——兩相間自由焓的關系：Gm(T)>Gc(T),即△G=Gc(
發布時間：2016-01-27 點擊次數：427
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單晶材料晶體生長是發生在固-液（或晶-液）界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態，絕大部分熔體處于過熱態（溫度高于Te）。已生長出的晶體溫度又需低于Te。就是說整個體系由熔體到晶體的溫度由過熱向過冷變化。過
發布時間：2016-01-12 點擊次數：216
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單晶材料單晶材料的制備也稱為晶體的生長，是將物質的非晶態、多晶態或能夠形成該物質的反應物通過一定的化學的手段轉變為單晶的過程。首先將結晶的物質通過熔化或溶解方式轉變成熔體或溶液。再控制其熱力學條件生成晶相，并讓其長大。隨著晶體生長學科理論和
發布時間：2015-12-16 點擊次數：124
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單晶材料1、穩定的機架結構設計，增強了設備在晶體生長過程中的抗振動能力。2、優化的液壓提升機構確保副爐室提升和復位時的運動平穩性。3、與主機分離的分水器設計，在減少冷卻水振動對晶體生長的影響的同時優化了水路布局。4、
發布時間：2015-12-04 點擊次數：186
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單晶材料相對普通的多晶體材料性能特殊，一般采用提拉法制備。單晶材料根據晶體生長法制作分為借由柴克勞司基法又名晶體生長法將復晶晶體提煉成對稱的、有規律的、成幾何型的單晶晶格結構。浮區法可將低純度硅晶體提煉成對稱的、有規律的、成幾何型的單晶晶格
發布時間：2015-11-25 點擊次數：229
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單晶材料隨著現代科學技術進步和大家生活水平進步，x射線晶體定向儀做為高科技電子元件，廣泛地用于空間、軍事技術、計算機、無線電設備、電子儀器、彩電等各種家用電器，各種電話機、移動電話、尋呼機、甚至電子掛鐘、玩具等。未來的轎車輔助駕馭儀，每臺需
發布時間：2015-11-10 點擊次數：165
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單晶材料X射線單晶定向儀產業規劃是指綜合運用各種理論分析工具，從當地實際狀況出發，充分考慮國內外及區域經濟發展趨勢，對當地X射線單晶定向儀產業發展的定位、產業體系、產業結構、X射線單晶定向儀產業鏈、空間布局、創新能力、經濟社會環境影響、實施
發布時間：2015-11-10 點擊次數：151
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單晶材料磁粉X射線探傷機應在下列環境條件下正常工作： a)溫度：—10°C～+40°C; b)空氣相對濕度不大于85%; c)無大量塵埃、易燃或腐蝕性氣體; d)無強電磁輻射和電磁干擾; e)電源電壓波動不超過額定電源電壓的±
發布時間：2016-07-18 點擊次數：130
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單晶材料什么是通用磁粉X射線探傷機? 通用也就是說該磁粉X射線探傷機能適合大多數的零部件檢測，我們所說的通用型磁粉X射線探傷機也就是指CJW-2000型磁粉X射線探傷機，那么為什么CJW-2000型磁粉X射線探傷機可以稱為通用磁粉X射
發布時間：2016-10-08 點擊次數：122
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1、單晶材料穿透才能。取決于X射線探傷機的容量，通常來說X射線探傷機的管電壓愈高，X射線愈硬，能量愈大，穿透才能就愈強。 2、被查驗工件的原料的密度等性質也需求思考。鋼鐵等重金屬以及較厚的工件，應當挑選管電壓較高的X射線探傷機。鋁、鎂
發布時間：2016-07-15 點擊次數：104
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單晶材料X射線探傷機體后,可使組織細胞和體液發生一系列變化,組織中的細胞被電離輻射滅活,從而引起以造血組織損傷為主的放射性損害。放射性損害程度受照射劑量、照射面積和部位、受照個體與組織細胞的放射敏感率以及射線的能量等多種復雜因素的影響。
發布時間：2015-11-10 點擊次數：74
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